научная статья по теме ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ† (21.05.1929–05.10.2013) Химия

Текст научной статьи на тему «ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ† (21.05.1929–05.10.2013)»

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 2014, том 59, № 3, с. 498-499

НЕКРОЛОГИ

ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ (21.05.1929-05.10.2013)

DOI: 10.7868/S0023476114030035

5 октября 2013 года ушел из жизни выдающийся российский ученый, заслуженный деятель науки и техники, дважды лауреат Государственных премий, профессор, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН Хачик Саа-кович Багдасаров.

Хачик Саакович родился 21 мая 1929 г. в г. Самарканде Узбекской ССР в бедной армянской семье. Его детство и юность прошли в трудные военные годы, что не помешало ему окончить школу и в 1946 г. поступить в Московский институт стали, который он с успехом окончил в 1952 г. Научная деятельность началась в 1953 г. в аспирантуре Института кристаллографии (в лаборатории академика А.В. Шубникова). В 1956 г. Хачик Саакович был зачислен в штат Института кристаллографии, где прошел большой путь от старшего лаборанта до заведующего крупным отделом по росту кристаллов.

Его аспирантская работа позволила установить природу воздействия ультразвука на кристаллизацию, разработать оригинальный метод выявления дислокаций в монокристаллах и обнаружить эффект упрочнения монокристаллов цинка при выращивании их в ультразвуковом поле.

В 1957 г. Х.С. Багдасаров защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата химических наук, а в 1972 — доктора физико-математических наук.

После знакомства в 1958 г. с академиком А.М. Прохоровым основные научные исследования Х.С. Багдасарова были связаны с изучением процессов кристаллизации веществ из высокотемпературных расплавов и созданием принципиально новых методов выращивания технически ценных монокристаллов. При решении этих задач основное внимание уделялось изучению физико-химических процессов при плавлении и кристаллизации вещества. Такой подход позволил Хачику Сааковичу создать новый, уникальный метод выращивания монокристаллов — метод Багдасарова, получивший мировое признание и широкое распространение. Промышленная реализация нового метода роста кристаллов потребовала разработки серии кристаллизационных установок типа "Сапфир" и "Гранат" различных модификаций, которая была проведена под его руководством и при непосредственном участии.

Х.С. Багдасаров внес крупный вклад в теорию синтеза высокосовершенных оптических монокристаллов. Совместно с академиком А.М. Прохоровым были развиты идеи, позволившие в кратчайшие сроки разработать технологию выращивания совершенных кристаллов рубина лазерного качества для создания мощных импульсных лазеров оптического диапазона. Решение этой задачи имело для СССР стратегическое значение, поскольку над этой же проблемой одновременно работали как в нашей стране, так и в США. Созданные оптические генераторы на рубине были использованы в проведенных под руководством академика Н.Г. Басова экспериментах по лазерной локации Луны, которые впервые позволили с дециметровой точностью определить расстояние до естественного спутника Земли и продемонстрировали исключительную перспективность

ХАЧИК СААКОВИЧ БАГДАСАРОВ

499

нового направления в оптической локации и связи.

Х.С. Багдасарова отличал яркий организаторский талант, умение найти и реализовать оригинальные технические решения. Созданная им в Институте кристаллографии РАН в 1964 г. лаборатория высокотемпературной кристаллизации превратилась в крупный отдел, решающий фундаментальные и прикладные задачи. Под научным руководством Хачика Сааковича был решен ряд важных задач по созданию монокристаллов для оптики и лазерной техники: лазерных кристаллов иттрий-алюминиевого граната, активированных ионами неодима, иттрий-эрбий-алюминиевого граната, особо крупных монокристаллов лейкосапфира и ряда других монокристаллов. Были созданы кристаллы, обладающие рекордной добротностью в СВЧ-диапазоне. На основе исследования радиационной стойкости лейко-сапфира была разработана оригинальная методика радиационного упрочнения монокристаллов.

Благодаря этим разработкам возникло промышленное производство кристаллов по методу Багдасарова, которое вывело нашу страну на передовые позиции в этой области технологий. Лицензии на выращивание кристаллов по методу Багдасарова и ростовая аппаратура были приобретены рядом ведущих стран, в числе которых Япония, Франция, Швейцария, Республика Корея, Болгария и др.

Х.С. Багдасаров принимал активное участие в организации крупных центров по выращиванию монокристаллов и выпуску кристаллизационных установок. Среди них следует выделить НПО "Лазерная техника" (Ереван), ВНИИ монокристаллов (Харьков), завод электротермического оборудования (Таганрог), завод электронного машиностроения (Луганск, Украина).

Х.С. Багдасаров является автором 7 монографий, свыше 250 научных статей и около 100 авторских свидетельств. В течение многих лет он

был членом редколлегии журнала "Кристаллография" и Председателем Государственной экзаменационной комиссии Института стали и сплавов.

За особый вклад, внесенный в решение проблемы синтеза высокосовершенных кристаллов, в том числе особо крупных монокристаллов лей-косапфира, Х.С. Багдасарову была присуждена в 1972 г. Государственная премия СССР. Работа по созданию мощных технологических лазеров, в которой он принимал самое активное участие, удостоена Государственной премии России в 2000 г. За цикл работ "Создание основ высокотемпературной кристаллизации", выполненных в 1970—2002 г., Х.С. Багдасаров был удостоен премии имени Е.С. Федорова.

Х.С. Багдасаров награжден двумя орденами СССР: в 1971 г. "Орден Трудового Красного Знамени" и в 1981 г. орден "Знак Почета". С 2009 г. Х.С. Багдасаров являлся иностранным членом Национальной академии наук Республики Армения, в том же году награжден золотой медалью "Каталикос всех армян Вазген Первый".

Мы потеряли яркого ученого, много сделавшего для обороноспособности страны, развития науки, технологии роста монокристаллов и подготовки высококвалифицированных кадров, посвятившего научной деятельности в Институте кристаллографии РАН более 55 лет и всегда уделявшего особое внимание поддержке новых научных идей и начинаний. Х.С. Багдасаров почти до последних дней своей жизни продолжал активно трудиться, работая над новой расширенной редакцией своей монографии "Высокотемпературная кристаллизация из расплава". Хачик Саако-вич обладал удивительной отзывчивостью и добросердечием, несмотря на свою высокую занятость, он всегда был готов словом и делом поддержать коллег и сотрудников института.

Светлая память о Х.С. Багдасарове навсегда останется с нами.

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ том 59 № 3 2014

11*

Для дальнейшего прочтения статьи необходимо приобрести полный текст. Статьи высылаются в формате PDF на указанную при оплате почту. Время доставки составляет менее 10 минут. Стоимость одной статьи — 150 рублей.

Показать целиком